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一种基于硫化物的三掺杂电子俘获材料及其制备方法
张家骅; 王英; 张霞; 郝振东
2014-04-16
专利权人中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
公开日期2014-04-16
授权国家中国
专利类型发明
摘要一种基于硫化物的三掺杂电子俘获材料及其制备方法,涉及发光及光存储技术领域,解决了现有的Eu2+,?Sm3+双稀土掺杂的硫化物体系光激励发光强度弱、光存储性能低的问题。该电子俘获材料的化学式为Sr1-x-y-zEuxSmyRezS,其中,Re代表Er、Dy、Tm、Yb、Tb或Gd;x、y、z为元素摩尔分数,取值范围为:0.0001≤?x?≤?0.02,0.0001?≤y?≤?0.02,0.0001≤z?≤?0.006。本发明的电子俘获材料的电子存储量比硫化物Eu2+,?Sm3+双掺杂材料中电子存储量提高了1~4倍,材料的光激励发光强度和存储性能都得到有效地提高,更能满足商品化的要求。
专利号201210483728.5
语种中文
专利状态公开
申请号201210483728.5
PCT属性
专利代理人王丹阳
文献类型专利
条目标识符http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/42033
专题中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式
GB/T 7714
张家骅,王英,张霞,等. 一种基于硫化物的三掺杂电子俘获材料及其制备方法. 201210483728.5[P]. 2014-04-16.
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