Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
Effect of post annealing on the band gap of MgxZn1-xO thin films | |
D.Y. Jiang; D Z Shen; K W Liu; C.X. Shan; Y.M. Zhao; T. Yang; B. Yao; Y.M. Lu; J.Y. Zhang | |
2008 | |
发表期刊 | Semicond. Sci. Technol.
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期号 | 23页码:035002 |
文献类型 | 期刊论文 |
条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/41531 |
专题 | 中科院长春光机所知识产出 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | D.Y. Jiang,D Z Shen,K W Liu,et al. Effect of post annealing on the band gap of MgxZn1-xO thin films[J]. Semicond. Sci. Technol.,2008(23):035002. |
APA | D.Y. Jiang.,D Z Shen.,K W Liu.,C.X. Shan.,Y.M. Zhao.,...&J.Y. Zhang.(2008).Effect of post annealing on the band gap of MgxZn1-xO thin films.Semicond. Sci. Technol.(23),035002. |
MLA | D.Y. Jiang,et al."Effect of post annealing on the band gap of MgxZn1-xO thin films".Semicond. Sci. Technol. .23(2008):035002. |
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文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
0268-1242_23_3_03500(785KB) | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 浏览 请求全文 |
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