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808nm垂直腔面发射激光器列阵的温度特性分析
张金胜; 宁永强; 张金龙; 张建伟; 张建; 王立军
2013-12-15
发表期刊发光学报
期号12页码:1636-1640
摘要为了研究温度对808 nm InGaAlAs垂直腔面发射激光器(VCSEL)列阵输出特性的影响,通过变温塞耳迈耶尔方程计算了InGaAlAs量子阱VCSEL的温度漂移系数。采用非闭合环结构,制备了2×2的808 nm垂直腔面发射激光器列阵,每个单元的出光口径为60μm。通过热沉温度调节,对不同温度下的列阵激射波长、光功率以及阈值电流进行了测量。在温度为20℃、脉宽为50μs、重复频率为100 Hz的脉冲条件下,列阵的最大输出功率达到56 mW,中心光谱值为808.38 nm,光谱半宽为2.5 nm,连续输出功率达到22 mW。通过变温测试,发现输出功率在50℃以上衰减剧烈,列阵的温漂系数为0.055 nm/℃。实验测得的温漂系数与理论值保持一致。
关键词808 Nm 垂直腔面发射激光器 列阵 温漂特性
收录类别CNKI
语种中文
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/39013
专题中科院长春光机所知识产出
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GB/T 7714
张金胜,宁永强,张金龙,等. 808nm垂直腔面发射激光器列阵的温度特性分析[J]. 发光学报,2013(12):1636-1640.
APA 张金胜,宁永强,张金龙,张建伟,张建,&王立军.(2013).808nm垂直腔面发射激光器列阵的温度特性分析.发光学报(12),1636-1640.
MLA 张金胜,et al."808nm垂直腔面发射激光器列阵的温度特性分析".发光学报 .12(2013):1636-1640.
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