Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
| 霍尔离子源辅助制备长波红外碳化锗增透膜 | |
王彤彤
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| 2013-03-15 | |
| 发表期刊 | 发光学报
 |
| 期号 | 03页码:319-323 |
| 摘要 | 为了提高锗基底的透过率和环境适应性,镀制了增透保护膜。应用电子枪蒸发加霍尔离子源辅助的方法沉积了碳化锗(Ge1-xCx)薄膜。通过固定霍尔离子源参数,控制沉积速率的工艺得到了不同光学常数的碳化锗薄膜。X射线衍射(XRD)测试表明,所制备的碳化锗薄膜在不同的沉积速率下均为无定形结构。采用傅立叶变换红外(FTIR)光谱仪测量了试片的透过率,使用包络法获得了相应工艺条件下的光学常数。在锗基底上双面镀制碳化锗增透膜后,长波红外7.5～11.5μm波段的平均透过率Tave>85%。经过环境实验之后的碳化锗膜层完好,证明碳化锗增透膜具有良好的环境适应性。 |
| 关键词 | 碳化锗 长波红外增透膜 离子辅助 霍尔离子源 |
| 收录类别 | CNKI |
| 语种 | 中文 |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/38997 |
| 专题 | 中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王彤彤. 霍尔离子源辅助制备长波红外碳化锗增透膜[J]. 发光学报,2013(03):319-323. |
| APA | 王彤彤.(2013).霍尔离子源辅助制备长波红外碳化锗增透膜.发光学报(03),319-323. |
| MLA | 王彤彤."霍尔离子源辅助制备长波红外碳化锗增透膜".发光学报 .03(2013):319-323. |
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| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 霍尔离子源辅助制备长波红外碳化锗增透膜.（562KB） | 开放获取 | CC BY-NC-ND | 浏览 下载 | |||
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