Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
| AlGaInP DH-LED的pn结特性 | |
高丹; 梁静秋 ; 梁中翥; 田超; 秦余欣; 王维彪
| |
| 2013-09-15 | |
| 发表期刊 | 发光学报
 |
| 期号 | 09页码:1213-1218 |
| 摘要 | 针对AlGaInP DH-LED的pn结特性进行了理论分析,得出电流密度J与电压V的关系。通过Matlab进行模拟分析,结果表明:当温度(300 K)一定时,在电压较小的情况下,电流密度成直线形式增大;当电压增大到一定值时,电流密度成对数形式增大;当电压过大时,电流密度几乎不增大。随着电压的升高,器件产生焦耳热增多,影响器件的工作特性,最终缩短LED的寿命。综合考虑,最后得出理论上的最佳发光驱动电压范围为2~2.33 V。 |
| 关键词 | Algainp 电压电流特性 Pn结 简并半导体 |
| 收录类别 | CNKI |
| 语种 | 中文 |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/38377 |
| 专题 | 中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高丹,梁静秋,梁中翥,等. AlGaInP DH-LED的pn结特性[J]. 发光学报,2013(09):1213-1218. |
| APA | 高丹,梁静秋,梁中翥,田超,秦余欣,&王维彪.(2013).AlGaInP DH-LED的pn结特性.发光学报(09),1213-1218. |
| MLA | 高丹,et al."AlGaInP DH-LED的pn结特性".发光学报 .09(2013):1213-1218. |
| 条目包含的文件 | 下载所有文件 | |||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| AlGaInPDH_LED的pn结特性.（394KB） | 开放获取 | CC BY-NC-ND | 浏览 下载 | |||
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