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铕掺杂氧化锌纳米棒阵列材料的制备及光学性能研究
孙晓绮; 孟庆华; 孟庆云
2013-05-15
Source Publication发光学报
Issue05Pages:573-578
Abstract通过低温化学方法在多孔硅柱状阵列(NSPA)衬底上制备得到铕掺杂ZnO(ZnO∶Eu)纳米棒阵列结构。实验方法简单、条件温和,有效地实现了ZnO纳米棒和铕离子之间的能量转移,丰富了ZnO纳米半导体材料体系的发光。X射线衍射以及X射线光电子能谱证实铕离子成功掺杂进了ZnO晶体中。室温荧光光谱测试结果表明:ZnO∶Eu纳米棒阵列可实现从紫外光到蓝-绿光的宽谱带发射,其中发光中心位于~380 nm的紫外光源于ZnO的带边发射,位于450~570 nm的蓝-绿光源于ZnO的本征缺陷发光,而位于~615 nm的红光发光则源于铕离子核外电子4f壳层结构。同时借助于能带示意图对光致发光机理进行了分析。
Keyword铕离子 Zno纳米棒阵列 低温化学法 光致发光
Indexed ByCNKI
Language中文
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/38267
Collection中科院长春光机所知识产出
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GB/T 7714
孙晓绮,孟庆华,孟庆云. 铕掺杂氧化锌纳米棒阵列材料的制备及光学性能研究[J]. 发光学报,2013(05):573-578.
APA 孙晓绮,孟庆华,&孟庆云.(2013).铕掺杂氧化锌纳米棒阵列材料的制备及光学性能研究.发光学报(05),573-578.
MLA 孙晓绮,et al."铕掺杂氧化锌纳米棒阵列材料的制备及光学性能研究".发光学报 .05(2013):573-578.
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