Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
| 1.3μm和1.55μmGaInAsP/InP阵列激光器 | |
| 赵英杰; 黎荣晖; 晏长岭; 钟景昌 | |
| 2000-04-30 | |
| 发表期刊 | 半导体光电
 |
| 期号 | 02页码:104-106 |
| 关键词 | 半导体激光器 大光腔结构 阵列激光器 脉冲峰值功率 |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/31328 |
| 专题 | 中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵英杰,黎荣晖,晏长岭,等. 1.3μm和1.55μmGaInAsP/InP阵列激光器[J]. 半导体光电,2000(02):104-106. |
| APA | 赵英杰,黎荣晖,晏长岭,&钟景昌.(2000).1.3μm和1.55μmGaInAsP/InP阵列激光器.半导体光电(02),104-106. |
| MLA | 赵英杰,et al."1.3μm和1.55μmGaInAsP/InP阵列激光器".半导体光电 .02(2000):104-106. |
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