Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
阳极氧化条件对多孔硅冷阴极场发射特性的影响 | |
丁邦建; 王维彪 | |
2000-12-30 | |
发表期刊 | 液晶与显示 |
期号 | 04页码:273-277 |
关键词 | 阳极氧化 场发射 多孔硅冷阴极 |
文献类型 | 期刊论文 |
条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/31227 |
专题 | 中科院长春光机所知识产出 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 丁邦建,王维彪. 阳极氧化条件对多孔硅冷阴极场发射特性的影响[J]. 液晶与显示,2000(04):273-277. |
APA | 丁邦建,&王维彪.(2000).阳极氧化条件对多孔硅冷阴极场发射特性的影响.液晶与显示(04),273-277. |
MLA | 丁邦建,et al."阳极氧化条件对多孔硅冷阴极场发射特性的影响".液晶与显示 .04(2000):273-277. |
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