CIOMP OpenIR  > 中科院长春光机所知识产出
阳极氧化条件对多孔硅冷阴极场发射特性的影响
丁邦建; 王维彪
2000-12-30
发表期刊液晶与显示
期号04页码:273-277
关键词阳极氧化 场发射 多孔硅冷阴极
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/31227
专题中科院长春光机所知识产出
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GB/T 7714
丁邦建,王维彪. 阳极氧化条件对多孔硅冷阴极场发射特性的影响[J]. 液晶与显示,2000(04):273-277.
APA 丁邦建,&王维彪.(2000).阳极氧化条件对多孔硅冷阴极场发射特性的影响.液晶与显示(04),273-277.
MLA 丁邦建,et al."阳极氧化条件对多孔硅冷阴极场发射特性的影响".液晶与显示 .04(2000):273-277.
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