Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
退火对富硅氮化硅薄膜的结构和发光的影响 | |
王颖; 申德振![]() ![]() | |
2005-02-26 | |
发表期刊 | 液晶与显示
![]() |
期号 | 01页码:18-21 |
关键词 | Pecvd 光致发光 Si团簇 悬键 |
文献类型 | 期刊论文 |
条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/30253 |
专题 | 中科院长春光机所知识产出 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 王颖,申德振,张吉英,等. 退火对富硅氮化硅薄膜的结构和发光的影响[J]. 液晶与显示,2005(01):18-21. |
APA | 王颖.,申德振.,张吉英.,刘益春.,张振中.,...&范希武.(2005).退火对富硅氮化硅薄膜的结构和发光的影响.液晶与显示(01),18-21. |
MLA | 王颖,et al."退火对富硅氮化硅薄膜的结构和发光的影响".液晶与显示 .01(2005):18-21. |
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退火对富硅氮化硅薄膜的结构和发光的影响.(249KB) | 开放获取 | -- | 浏览 下载 |
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