Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
| 基于GaAs-AlGaAs非对称耦合量子阱材料的半导体弱光开关 | |
苏雪梅; 卓仲畅; 宁永强 ; 王立军
| |
| 2002-07-17 | |
| 发表期刊 | 光学学报
 |
| 期号 | 07页码:870-873 |
| 关键词 | 耦合量子阱 Fano干涉 光开关 |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/29318 |
| 专题 | 中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 苏雪梅,卓仲畅,宁永强,等. 基于GaAs-AlGaAs非对称耦合量子阱材料的半导体弱光开关[J]. 光学学报,2002(07):870-873. |
| APA | 苏雪梅,卓仲畅,宁永强,&王立军.(2002).基于GaAs-AlGaAs非对称耦合量子阱材料的半导体弱光开关.光学学报(07),870-873. |
| MLA | 苏雪梅,et al."基于GaAs-AlGaAs非对称耦合量子阱材料的半导体弱光开关".光学学报 .07(2002):870-873. |
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| 基于GaAs_AlGaAs非对称耦合量子（44KB） | 开放获取 | -- | 浏览 下载 | |||
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