Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
| 两种不同气源制备的高氢含量aSi_(1-x)C_x∶H薄膜的微结构及其热稳定性研究 | |
刘玉学; 刘益春; 申德振
| |
| 2001-08-05 | |
| 发表期刊 | 真空科学与技术
 |
| 期号 | 04页码:80-85 |
| 关键词 | A-si1xcx∶h 电子自旋共振 红外光谱 透射反射谱 退火 |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/28365 |
| 专题 | 中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘玉学,刘益春,申德振. 两种不同气源制备的高氢含量aSi_(1-x)C_x∶H薄膜的微结构及其热稳定性研究[J]. 真空科学与技术,2001(04):80-85. |
| APA | 刘玉学,刘益春,&申德振.(2001).两种不同气源制备的高氢含量aSi_(1-x)C_x∶H薄膜的微结构及其热稳定性研究.真空科学与技术(04),80-85. |
| MLA | 刘玉学,et al."两种不同气源制备的高氢含量aSi_(1-x)C_x∶H薄膜的微结构及其热稳定性研究".真空科学与技术 .04(2001):80-85. |
| 条目包含的文件 | 下载所有文件 | |||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 两种不同气源制备的高氢含量aSi_1_x（74KB） | 开放获取 | -- | 浏览 下载 | |||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [刘玉学]的文章 |
| [刘益春]的文章 |
| [申德振]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [刘玉学]的文章 |
| [刘益春]的文章 |
| [申德振]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [刘玉学]的文章 |
| [刘益春]的文章 |
| [申德振]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论