利用In_(0.82)Ga_(0.18)As与InP衬底之间的应力制作结构材料的缓冲层

	利用In_(0.82)Ga_(0.18)As与InP衬底之间的应力制作结构材料的缓冲层
	张铁民; 缪国庆; 傅军; 符运良; 林红
	2011-06-15
发表期刊	发光学报
期号	06 页码:612-616
关键词	In0.82ga0.18as 金属有机化学气相淀积缓冲层
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/27916
专题	中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式 GB/T 7714	张铁民,缪国庆,傅军,等. 利用In_(0.82)Ga_(0.18)As与InP衬底之间的应力制作结构材料的缓冲层[J]. 发光学报,2011(06):612-616.
APA	张铁民,缪国庆,傅军,符运良,&林红.(2011).利用In_(0.82)Ga_(0.18)As与InP衬底之间的应力制作结构材料的缓冲层.发光学报(06),612-616.
MLA	张铁民,et al."利用In_(0.82)Ga_(0.18)As与InP衬底之间的应力制作结构材料的缓冲层".发光学报 .06(2011):612-616.