| SiO_2纳米颗粒对a-AlGaN金属-半导体-金属结构紫外探测器的影响 |
| 贾辉; 陈一仁 ; 孙晓娟 ; 黎大兵 ; 宋航 ; 蒋红; 缪国庆 ; 李志明
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| 2012-08-15
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发表期刊 | 发光学报
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期号 | 08页码:879-882 |
关键词 | Sio2纳米颗粒
A-algan
Msm紫外探测器
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文献类型 | 期刊论文
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条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/27301
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专题 | 中科院长春光机所知识产出
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推荐引用方式 GB/T 7714 |
贾辉,陈一仁,孙晓娟,等. SiO_2纳米颗粒对a-AlGaN金属-半导体-金属结构紫外探测器的影响[J]. 发光学报,2012(08):879-882.
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APA |
贾辉.,陈一仁.,孙晓娟.,黎大兵.,宋航.,...&李志明.(2012).SiO_2纳米颗粒对a-AlGaN金属-半导体-金属结构紫外探测器的影响.发光学报(08),879-882.
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MLA |
贾辉,et al."SiO_2纳米颗粒对a-AlGaN金属-半导体-金属结构紫外探测器的影响".发光学报 .08(2012):879-882.
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文件名:
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SiO_2纳米颗粒对a_AlGaN金属_半导体_金属结构紫外探测器的影响.caj
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格式:
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caj
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