Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
| MOCVD自催化法在Si(100)衬底上生长InP/InGaAs核壳结构纳米线 | |
张登巍; 缪国庆
| |
| 2012-03-15 | |
| 发表期刊 | 发光学报
 |
| 期号 | 03页码:294-298 |
| 关键词 | 自催化法 金属有机化学气相沉积 Inp/ingaas核壳结构 纳米线 |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/27286 |
| 专题 | 中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张登巍,缪国庆. MOCVD自催化法在Si(100)衬底上生长InP/InGaAs核壳结构纳米线[J]. 发光学报,2012(03):294-298. |
| APA | 张登巍,&缪国庆.(2012).MOCVD自催化法在Si(100)衬底上生长InP/InGaAs核壳结构纳米线.发光学报(03),294-298. |
| MLA | 张登巍,et al."MOCVD自催化法在Si(100)衬底上生长InP/InGaAs核壳结构纳米线".发光学报 .03(2012):294-298. |
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| MOCVD自催化法在Si_100_衬底上（448KB） | 开放获取 | -- | 浏览 下载 | |||
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