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Structural and electrical characterizations of single tetragonal FeSe on Si substrate
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Wu X. J.; Zhang Z. Z.; Zhang J. Y.; Ju Z. G.; Shen D. Z.; Li B. H.; Shan C. X.; Lu Y. M.
2007
发表期刊Journal of Crystal Growth
ISSN0022-0248
卷号300期号:2页码:483-485
摘要(001)-Oriented FeSe thin films were successfully fabricated by metal organic chemical vapor deposition on Si substrate with large thermal mismatch. X-ray diffraction and X-ray photoelectron spectroscopy measurements indicate that the films are of single tetragonal phase FeSe. Hysteresis loop indicates that the FeSe structure is ferromagnetic at room temperature with coercive force of 260Oe. The FeSe films show p-type conduction with carrier concentration of 10(21) cm(-3), and the anomalous Hall effect was discussed. (c) 2007 Elsevier B.V. All rights reserved.
收录类别SCI ; EI
语种英语
文献类型期刊论文
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GB/T 7714
Wu X. J.,Zhang Z. Z.,Zhang J. Y.,et al. Structural and electrical characterizations of single tetragonal FeSe on Si substrate[J]. Journal of Crystal Growth,2007,300(2):483-485.
APA Wu X. J..,Zhang Z. Z..,Zhang J. Y..,Ju Z. G..,Shen D. Z..,...&Lu Y. M..(2007).Structural and electrical characterizations of single tetragonal FeSe on Si substrate.Journal of Crystal Growth,300(2),483-485.
MLA Wu X. J.,et al."Structural and electrical characterizations of single tetragonal FeSe on Si substrate".Journal of Crystal Growth 300.2(2007):483-485.
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