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High average power and short pulse duration continuous wave mode-locked Nd : GdVO4 laser with a semiconductor absorber mirror
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Peng J. Y.; Wang B. S.; Wang Y. G.; Miao J. G.; Hao E. J.; Tan H. M.; Qian L. S.; Ma X. Y.
2007
发表期刊Laser Physics
ISSN1054-660X
卷号17期号:8页码:1033-1036
摘要Passive mode locking of a solid-state Nd:GdVO4 laser is demonstrated. The laser is mode locked by use of a semiconductor absorber mirror (SAM). A low Nd3+ doped Nd:GdVO4 crystal is used to mitigate the thermal lens effect of the laser crystal at a high pump power. The maximum average output power is up to 6.5 W, and the pulse duration is as short as 6.2 ps. The optic-to-optic conversion efficiency is 32.5% and the repetition rate is about 110 MHz.
收录类别SCI ; EI
语种英语
文献类型期刊论文
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GB/T 7714
Peng J. Y.,Wang B. S.,Wang Y. G.,et al. High average power and short pulse duration continuous wave mode-locked Nd : GdVO4 laser with a semiconductor absorber mirror[J]. Laser Physics,2007,17(8):1033-1036.
APA Peng J. Y..,Wang B. S..,Wang Y. G..,Miao J. G..,Hao E. J..,...&Ma X. Y..(2007).High average power and short pulse duration continuous wave mode-locked Nd : GdVO4 laser with a semiconductor absorber mirror.Laser Physics,17(8),1033-1036.
MLA Peng J. Y.,et al."High average power and short pulse duration continuous wave mode-locked Nd : GdVO4 laser with a semiconductor absorber mirror".Laser Physics 17.8(2007):1033-1036.
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