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Metal organic chemical vapor deposition growth of Cd1-xFexSe thin films
其他题名论文其他题名
Ju Z. G.; Lu Y. M.; Zhang J. Y.; Shan C. X.; Zhao D. X.; Zhang Z. Z.; Li B. H.; Yao B.; Shen D. Z.
2008
发表期刊Applied Surface Science
ISSN0169-4332
卷号255期号:5页码:3332-3335
摘要High quality Cd1-xFexSe thin films with different Fe content were grown on sapphire substrates by using low-pressure metal organic chemical vapor deposition (LP-MOCVD). The structural properties of these films were examined by X-ray diffraction (XRD). Temperature dependent spectra were also used to study the origin of the emission peak. Strong near band emission (NBE) without other defect related emission at room temperature demonstrates that the thin films have high optical quality. Absorption spectra were used to estimate the band gap of the Cd1-xFexSe films. (C) 2008 Elsevier B.V. All rights reserved.
收录类别SCI ; EI
语种英语
文献类型期刊论文
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专题中科院长春光机所知识产出
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GB/T 7714
Ju Z. G.,Lu Y. M.,Zhang J. Y.,et al. Metal organic chemical vapor deposition growth of Cd1-xFexSe thin films[J]. Applied Surface Science,2008,255(5):3332-3335.
APA Ju Z. G..,Lu Y. M..,Zhang J. Y..,Shan C. X..,Zhao D. X..,...&Shen D. Z..(2008).Metal organic chemical vapor deposition growth of Cd1-xFexSe thin films.Applied Surface Science,255(5),3332-3335.
MLA Ju Z. G.,et al."Metal organic chemical vapor deposition growth of Cd1-xFexSe thin films".Applied Surface Science 255.5(2008):3332-3335.
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