Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
Field-induced ionization of excited luminescent centers at high electric field strengths | |
其他题名 | 论文其他题名 |
Lou Z. D.; Xu Z.; Teng F.; Xu X. R. | |
1997 | |
发表期刊 | Journal of Luminescence
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ISSN | 0022-2313 |
页码 | 112-113 |
摘要 | In this paper we discuss the mechanism of field-induced ionization of the excited luminescent centers in rare-earth doped ZnS TFEL devices and estimate the upper-level positions of the centers according to Franz-Keldysh effect. Effects of impact and room temperature on ionization of the centers are also considered. |
收录类别 | SCI |
语种 | 英语 |
WOS记录号 | WOS:A1997XK42800039 |
引用统计 | |
文献类型 | 期刊论文 |
条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/25398 |
专题 | 中科院长春光机所知识产出 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Lou Z. D.,Xu Z.,Teng F.,et al. Field-induced ionization of excited luminescent centers at high electric field strengths[J]. Journal of Luminescence,1997:112-113. |
APA | Lou Z. D.,Xu Z.,Teng F.,&Xu X. R..(1997).Field-induced ionization of excited luminescent centers at high electric field strengths.Journal of Luminescence,112-113. |
MLA | Lou Z. D.,et al."Field-induced ionization of excited luminescent centers at high electric field strengths".Journal of Luminescence (1997):112-113. |
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