Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
808nm大功率半导体激光器腔面膜优化设计 | |
套格套; 路国光; 尧舜; 宁永强![]() ![]() | |
2007-12-15 | |
发表期刊 | 半导体光电
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ISSN | 1001-5868 |
期号 | 6 |
摘要 | 推导出半导体激光器前腔面和后腔面上的入射激光功率之比,阐述了后腔面膜电场强度优化设计的重要性。从实际问题出发在以往腔面膜的研制基础上,选择适合制备808nm大功率半导体激光器腔面的镀膜材料。给出了镀制腔面膜过程中会出现的种种关键问题的解决方法,针对各种具体应用提出几种前腔面设计方案。得到后腔面电场强度优化设计的膜系。 |
关键词 | 大功率半导体激光器 电场强度优化设计 腔面膜 |
文献类型 | 期刊论文 |
条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/24288 |
专题 | 中科院长春光机所知识产出 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 套格套,路国光,尧舜,等. 808nm大功率半导体激光器腔面膜优化设计[J]. 半导体光电,2007(6). |
APA | 套格套,路国光,尧舜,宁永强,刘云,&王立军.(2007).808nm大功率半导体激光器腔面膜优化设计.半导体光电(6). |
MLA | 套格套,et al."808nm大功率半导体激光器腔面膜优化设计".半导体光电 .6(2007). |
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