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808nm大功率半导体激光器腔面膜优化设计
套格套; 路国光; 尧舜; 宁永强; 刘云; 王立军
2007-12-15
发表期刊半导体光电
ISSN1001-5868
期号6
摘要推导出半导体激光器前腔面和后腔面上的入射激光功率之比,阐述了后腔面膜电场强度优化设计的重要性。从实际问题出发在以往腔面膜的研制基础上,选择适合制备808nm大功率半导体激光器腔面的镀膜材料。给出了镀制腔面膜过程中会出现的种种关键问题的解决方法,针对各种具体应用提出几种前腔面设计方案。得到后腔面电场强度优化设计的膜系。
关键词大功率半导体激光器 电场强度优化设计 腔面膜
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/24288
专题中科院长春光机所知识产出
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GB/T 7714
套格套,路国光,尧舜,等. 808nm大功率半导体激光器腔面膜优化设计[J]. 半导体光电,2007(6).
APA 套格套,路国光,尧舜,宁永强,刘云,&王立军.(2007).808nm大功率半导体激光器腔面膜优化设计.半导体光电(6).
MLA 套格套,et al."808nm大功率半导体激光器腔面膜优化设计".半导体光电 .6(2007).
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