Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
| 俄歇复合对同质结InGaAs探测器探测率的影响 | |
殷景志; 时宝; 李龙海; 王一丁; 杜国同; 缪国庆 ; 宋航; 蒋红; 金亿鑫
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| 2006-04-30 | |
| 发表期刊 | 半导体光电
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| ISSN | 1001-5868 |
| 期号 | 2 |
| 摘要 | 通过对InGaAs材料的俄歇(Auger)复合机制的理论分析,给出了少子寿命与材料组分、温度和载流子浓度的关系,从而得到材料参数等对InGaAs探测器的探测率影响的结果,优化材料参数和器件结构可抑制Auger复合机制,提高InGaAs探测器的探测率。 |
| 关键词 | Ingaas探测器 探测率 Auger复合 |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/24179 |
| 专题 | 中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 殷景志,时宝,李龙海,等. 俄歇复合对同质结InGaAs探测器探测率的影响[J]. 半导体光电,2006(2). |
| APA | 殷景志.,时宝.,李龙海.,王一丁.,杜国同.,...&金亿鑫.(2006).俄歇复合对同质结InGaAs探测器探测率的影响.半导体光电(2). |
| MLA | 殷景志,et al."俄歇复合对同质结InGaAs探测器探测率的影响".半导体光电 .2(2006). |
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