Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
| 坩埚下降法生长CaF_2单晶的研究 | |
段安锋; 范翊 ; 罗劲松; 关树海; 沈永宏; 刘景和
| |
| 2006-12-30 | |
| 发表期刊 | 人工晶体学报
 |
| ISSN | 1000-985X |
| 期号 | 6 |
| 摘要 | 采用坩埚下降法生长了CaF2单晶体,研究了不同条件生长的单晶缺陷和光谱性能。结果表明:当晶体生长过程中进入水等含氧杂质时,所生长的晶体不仅在1500nm附近产生非常宽的OH-两倍振动吸收带,而且在可见-紫外波段也形成强烈的色心吸收带。同时,杂质离子Ce3+的存在也导致晶体出现306nm的吸收带。 |
| 关键词 | Caf2晶体 下降法 位错蚀坑 光谱 |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/24118 |
| 专题 | 中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 段安锋,范翊,罗劲松,等. 坩埚下降法生长CaF_2单晶的研究[J]. 人工晶体学报,2006(6). |
| APA | 段安锋,范翊,罗劲松,关树海,沈永宏,&刘景和.(2006).坩埚下降法生长CaF_2单晶的研究.人工晶体学报(6). |
| MLA | 段安锋,et al."坩埚下降法生长CaF_2单晶的研究".人工晶体学报 .6(2006). |
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