Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
连续灰度铁电液晶器件制备 | |
乌日娜; 李静; 张然; 邹忠飞; 宣丽 | |
2006-11-30 | |
发表期刊 | 光子学报 |
ISSN | 1004-4213 |
期号 | 11 |
摘要 | 采用N*-Sc*序列相铁电液晶,通过控制在N*-Sc*相变时施加电压的频率和幅值,制备了不同分子层排列结构的器件,获得了“V”字形和半“V”字形的电光特性曲线,从而可以实现连续灰度.根据铁电液晶自发偶极矩与电场力矩的相互作用原理,分析了器件形成不同分子层排列结构及呈现“V”字形和半“V”字形电光特性的原因. |
关键词 | 铁电液晶 n~*-sc~*相变 电压 “v”字形 半“v”字形 灰度 |
文献类型 | 期刊论文 |
条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/24102 |
专题 | 中科院长春光机所知识产出 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 乌日娜,李静,张然,等. 连续灰度铁电液晶器件制备[J]. 光子学报,2006(11). |
APA | 乌日娜,李静,张然,邹忠飞,&宣丽.(2006).连续灰度铁电液晶器件制备.光子学报(11). |
MLA | 乌日娜,et al."连续灰度铁电液晶器件制备".光子学报 .11(2006). |
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