CdSe_ZnSe复合结构非对称量子阱的发光特性

	CdSe_ZnSe复合结构非对称量子阱的发光特性
	郑著宏
	2007-12-15
发表期刊	发光学报
期号	6
摘要	利用MOCVD技术在GaAs衬底上外延生长了非对称量子阱结构CdSe/ZnSe材料,通过对其稳态变温光谱及变激发功率光谱,研究了其发光特性。稳态光谱表明:在82～141K时,观测到的两个发光峰来源于不同阱层厚度的量子阱激子发光,用对比实验验证了高能侧发光的来源。宽阱发光强度先增加后减小,将其归结为激子隧穿与激子热离化相互竞争的结果。通过Arrhenius拟合,对宽阱激子热激活能进行了计算。82K时变激发功率PL光谱表明:由于激子隧穿的存在,使得窄阱发光峰位不随激发功率变化而变化,宽阱发光峰位随激发功率增加发生了蓝移,并对激子隧穿进行了实验验证。
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/24034
专题	中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式 GB/T 7714	郑著宏. CdSe_ZnSe复合结构非对称量子阱的发光特性[J]. 发光学报,2007(6).
APA	郑著宏.(2007).CdSe_ZnSe复合结构非对称量子阱的发光特性.发光学报(6).
MLA	郑著宏."CdSe_ZnSe复合结构非对称量子阱的发光特性".发光学报 .6(2007).