Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
| 带栅极纳米线冷阴极的场增强因子研究 | |
梁静秋
| |
| 2007-11-15 | |
| 发表期刊 | 物理学报
 |
| 期号 | 11 |
| 摘要 | 场增强因子是体现场发射冷阴极器件性能优劣的重要参数.利用静电场理论给出了一种带栅极(normal-gated)纳米线冷阴极的场增强因子表示式β=k11/2(N~2.(L-d_1)~2+[1/k_1+(L-d_1)]~2),且进一步分析了几何参数对场增强因子的影响.结果表明,纳米线突出栅孔的部分(L-d1)与栅孔半径越大,则场增强因子越大;而纳米线半径越小,则场增强因子越大;当L远大于d1时满足β∝L/r0.其中N=N1(k1r0)/N0(k1r0),N0(k1r0)和N1(k1r0)分别代表零阶和一阶Neumann函数,k1=0.8936/R,R为栅孔半径,L为纳米线长度,r0为纳米线半径,d1表示阴极与栅极间距. |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/24026 |
| 专题 | 中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 梁静秋. 带栅极纳米线冷阴极的场增强因子研究[J]. 物理学报,2007(11). |
| APA | 梁静秋.(2007).带栅极纳米线冷阴极的场增强因子研究.物理学报(11). |
| MLA | 梁静秋."带栅极纳米线冷阴极的场增强因子研究".物理学报 .11(2007). |
| 条目包含的文件 | 下载所有文件 | |||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 带栅极纳米线冷阴极的场增强因子研究.ca（92KB） | 开放获取 | -- | 浏览 下载 | |||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [梁静秋]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [梁静秋]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [梁静秋]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论