电泳淀积图形化碳纳米管场发射阴极及其场发射特性研究

	电泳淀积图形化碳纳米管场发射阴极及其场发射特性研究
	宋航
	2007-05-15
发表期刊	真空科学与技术学报
期号	3
摘要	基于电泳和半导体工艺,制备了图形化的碳纳米管场发射阴极。用较高的电场激活碳纳米管薄膜,使得碳纳米管的场发射特性有了很大的改善,讨论了这一激活过程的物理机制。研究表明,这一激活过程可能的物理机制一方面是由于碳纳米管薄膜表面形貌发生了变化,增大了碳纳米管的场增强因子;另一方面是由于碳纳米管表面吸附的气体脱附,降低了碳纳米管的表面功函数。电场激活处理后,碳纳米管薄膜的开启电场为2.1V/μm,应用电场为6V/μm时,电流密度达到1.19mA/cm2。该图形化的碳纳米管场发射阴极可以应用到高分辨率场发射显示器。
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/23870
专题	中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式 GB/T 7714	宋航. 电泳淀积图形化碳纳米管场发射阴极及其场发射特性研究[J]. 真空科学与技术学报,2007(3).
APA	宋航.(2007).电泳淀积图形化碳纳米管场发射阴极及其场发射特性研究.真空科学与技术学报(3).
MLA	宋航."电泳淀积图形化碳纳米管场发射阴极及其场发射特性研究".真空科学与技术学报 .3(2007).