用低压反应离子镀的方法制备Ge_1_x_C_x单层非均匀增透膜的研究

	用低压反应离子镀的方法制备Ge_1_x_C_x单层非均匀增透膜的研究
	高劲松
	2007-03-30
发表期刊	光学技术
期号	2
摘要	用低压反应离子镀(RLVIP)的方法在Ge基底上制备了Ge1-xCx单层非均匀增透薄膜。随着沉积速率在0.05~0.4nm/s之间的变化,其折射率在2.31~3.42之间可变。实验结果表明,镀制的Ge1-xCx单层非均匀增透保护薄膜均为无定形结构,并实现了从2000~8000nm的宽波段增透。当沉积速率为0.1nm/s时,单面平均透过率从68.6%提高到了80.9%,比单面未镀膜时提高了17.9%。通过对薄膜的稳定性和牢固度进行测试表明,制备的Ge1-xCx单层非均匀增透薄膜具有良好的性能。
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/23832
专题	中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式 GB/T 7714	高劲松. 用低压反应离子镀的方法制备Ge_1_x_C_x单层非均匀增透膜的研究[J]. 光学技术,2007(2).
APA	高劲松.(2007).用低压反应离子镀的方法制备Ge_1_x_C_x单层非均匀增透膜的研究.光学技术(2).
MLA	高劲松."用低压反应离子镀的方法制备Ge_1_x_C_x单层非均匀增透膜的研究".光学技术 .2(2007).