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采用硅V型槽的一维光纤阵列的研制
梁静秋
2007-01-30
发表期刊光学精密工程
期号1
摘要阐述了一维光纤阵列的研制方法,分析了V型槽法中硅V型槽腐蚀机理,计算了V型槽的开口及间距与光纤半径及纤芯截面圆心距的关系,给出了最小槽深与光纤半径及V型槽开口的关系式。用各向异性腐蚀技术制作了硅V型槽,比较了紫外及红外粘接剂的性能,进行了光纤的排列、粘接及抛光,制作出一维光纤阵列。用原子力显微镜测量光纤阵列表面粗糙度为纳米量级,用ZYGO数字干涉仪检测光纤的端头位置误差为3~5μm。该项工作为二维光纤阵列的高精度制备奠定了基础。
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/23788
专题中科院长春光机所知识产出
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GB/T 7714
梁静秋. 采用硅V型槽的一维光纤阵列的研制[J]. 光学精密工程,2007(1).
APA 梁静秋.(2007).采用硅V型槽的一维光纤阵列的研制.光学精密工程(1).
MLA 梁静秋."采用硅V型槽的一维光纤阵列的研制".光学精密工程 .1(2007).
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