Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
| GaAs_LED阵列器件隔离沟槽的制备研究 | |
梁静秋
| |
| 2006-12-30 | |
| 发表期刊 | 光电子技术
 |
| ISSN | 1005-488X |
| 卷号 | 4期号:26页码:192 |
| 摘要 | 良好的电学和光学隔离能显著提高微LED阵列器件的亮度、分辨率等工作性能,高深宽比隔离沟槽的制备是决定电学隔离效果的关键。本文分析比较了各种制备工艺,选择湿法腐蚀工艺,使用了不同比例柠檬酸双氧水腐蚀液对GaAs进行了腐蚀,在二者配比为3∶1的条件下,在GaAs衬底材料上制备了深宽比为2∶1的隔离沟槽。腐蚀后芯片表面平整度、侧蚀等指标初步达到器件设计的要求。 |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/23774 |
| 专题 | 中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 梁静秋. GaAs_LED阵列器件隔离沟槽的制备研究[J]. 光电子技术,2006,4(26):192. |
| APA | 梁静秋.(2006).GaAs_LED阵列器件隔离沟槽的制备研究.光电子技术,4(26),192. |
| MLA | 梁静秋."GaAs_LED阵列器件隔离沟槽的制备研究".光电子技术 4.26(2006):192. |
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| GaAs_LED阵列器件隔离沟槽的制备研（311KB） | 开放获取 | -- | 浏览 下载 | |||
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