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SiC纳米棒的紫外发光研究
张立功
2009-04-03
发表期刊物理学报
ISSN1000-3290
卷号4期号:58页码:2594
摘要采用聚硅氮烷前驱体在高温常压下热裂解的方法制备了3C-SiC纳米棒,在室温下观察到来自纳米棒的378nm(3.3eV)强紫外发射.利用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、高分辨透射电子显微镜和X射线衍射对样品的形貌和结构进行表征,观察到在该结构中存在类似6H-SiC结构的三层堆垛层错.利用室温荧光光谱和室温荧光衰减曲线研究了强紫外发射的产生机理,紫外发射来源于3C-SiC纳米棒中的三层堆垛层错的发光.
收录类别SCI
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/23707
专题中科院长春光机所知识产出
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GB/T 7714
张立功. SiC纳米棒的紫外发光研究[J]. 物理学报,2009,4(58):2594.
APA 张立功.(2009).SiC纳米棒的紫外发光研究.物理学报,4(58),2594.
MLA 张立功."SiC纳米棒的紫外发光研究".物理学报 4.58(2009):2594.
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