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高功率低发散角垂直腔面发射激光器阵列
宁永强; 秦莉; 孙艳芳; 刘云; 王立军
2010-09-01
发表期刊中国激光
ISSN0258-7025
卷号37期号:9页码:2428-2432
摘要报道了980nm高功率低发散角垂直腔面发射激光器(VCSEL)阵列。通过增大阵列单元的出光孔径和单元间距来减小阵列器件的电阻和热阻,制作的台面为直径250μm,氧化孔径200μm,单元间距280μm的4×4二维阵列,与有源区面积相同的单管器件相比具有更高的输出功率。在室温连续工作条件下,阵列在注入电流6A时最高输出功率为1.81W,阈值电流为1.2A,斜率效率为0.37W/A,微分电阻为0.01Ω。针对较大的远场发散角对单元器件有源区中电流密度分布进行了计算,分析了器件高阶横模产生的原因。使用镀制额外金层的结构来改善远场发散角,将半角宽度由30°压缩到15°以下,改进后器件的输出功率略有下降。60℃恒电流模式寿命测试结果显示器件在800h后输出功率衰减小于10%。
收录类别EI
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/23630
专题中科院长春光机所知识产出
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GB/T 7714
宁永强,秦莉,孙艳芳,等. 高功率低发散角垂直腔面发射激光器阵列[J]. 中国激光,2010,37(9):2428-2432.
APA 宁永强,秦莉,孙艳芳,刘云,&王立军.(2010).高功率低发散角垂直腔面发射激光器阵列.中国激光,37(9),2428-2432.
MLA 宁永强,et al."高功率低发散角垂直腔面发射激光器阵列".中国激光 37.9(2010):2428-2432.
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