Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
| 透明导电铟铋氧化物薄膜的制备及其性能 | |
范翊 ; 刘星元
| |
| 2010-08-20 | |
| 发表期刊 | 发光学报
 |
| ISSN | 1000-7032 |
| 卷号 | 31期号:4页码:605-4 |
| 摘要 | 以氧化铟为主体材料,以铋为掺杂材料,采用真空热蒸发方法研制出2.5%铋掺杂的透明导电氧化物薄膜(IBO)。实验表明:IBO薄膜具有良好的表面形貌,载流子浓度为3.955×1019cm-3,载流子迁移率达到50.21cm2·V-1·s-1,电导率为3.143×10-3Ω·cm,在可见光范围内的平均透过率超过82%,功函数为4.76eV。采用其作为阳极制作的OLED得到最大亮度30230cd/m2,最大电流效率为5.1cd/A。结果表明IBO是一种良好的光电器件阳极材料。 |
| 收录类别 | EI |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/23610 |
| 专题 | 中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 范翊,刘星元. 透明导电铟铋氧化物薄膜的制备及其性能[J]. 发光学报,2010,31(4):605-4. |
| APA | 范翊,&刘星元.(2010).透明导电铟铋氧化物薄膜的制备及其性能.发光学报,31(4),605-4. |
| MLA | 范翊,et al."透明导电铟铋氧化物薄膜的制备及其性能".发光学报 31.4(2010):605-4. |
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