CIOMP OpenIR  > 中科院长春光机所知识产出
808nm边发射二极管激光器特征温度
秦莉; 李再金; 宁永强; 王超; 王立军
2010-05-01
发表期刊光学学报
ISSN0253-2240
卷号30期号:5页码:1390-1395
摘要研究了波导层材料为Al0.65Ga0.35As时的3种不同厚度(0.4,0.5和0.6μm)和3种不同的AlGaAs基大光学腔(Al0.65Ga0.35As-1μm,Al0.6Ga0.4As-1.5μm和Al0.45Ga0.55As-2μm)的808nm边发射二极管激光器的输出特性。理论计算模拟了不同结构器件的功率-电流特性(P-I)曲线,采用线性拟合的方法计算阈值电流,并计算了器件的特征温度。实验结果验证了理论计算结果。波导层厚度变化的研究说明,当单量子阱的厚度不变时,波导层越厚,器件的特征温度越高,器件的性能也就越好。大光学腔变化的研究表明,由于Al的组分x=0.45时会产生有效的垂直光斑尺寸和更低的电阻,使得2μm-LOC结构的器件性能最好。
收录类别EI
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/23552
专题中科院长春光机所知识产出
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GB/T 7714
秦莉,李再金,宁永强,等. 808nm边发射二极管激光器特征温度[J]. 光学学报,2010,30(5):1390-1395.
APA 秦莉,李再金,宁永强,王超,&王立军.(2010).808nm边发射二极管激光器特征温度.光学学报,30(5),1390-1395.
MLA 秦莉,et al."808nm边发射二极管激光器特征温度".光学学报 30.5(2010):1390-1395.
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