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高占空比大功率半导体激光线阵热特性分析
秦莉; 刘云; 王立军
2010-04-20
发表期刊光学学报
ISSN0253-2240
卷号30期号:4页码:1055-06
摘要针对微通道热沉封装半导体激光列阵(LDA)建立三维有限元热分析模型,对其在20%高占空比工作时的瞬态和稳态温度分布进行模拟分析。模拟结果表明加电流后的几十微秒内有源区温度缓慢上升,此后相邻发光单元之间发生热交叠,温度快速上升,最后由于热弛豫积累效应达到热平衡;稳态时有源区温度分布呈现与器件结构一致的周期性,各发光单元温度分布一致,温升集中在有源层电极区内,绝缘区温升快速减小,出光面温度较高,180A电流下工作时沿腔长方向最大存在3K的温差。试验测试不同电流下工作时的输出特性,得到器件的有源区温升及稳态热阻与模拟结果基本吻合。
收录类别EI
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/23549
专题中科院长春光机所知识产出
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GB/T 7714
秦莉,刘云,王立军. 高占空比大功率半导体激光线阵热特性分析[J]. 光学学报,2010,30(4):1055-06.
APA 秦莉,刘云,&王立军.(2010).高占空比大功率半导体激光线阵热特性分析.光学学报,30(4),1055-06.
MLA 秦莉,et al."高占空比大功率半导体激光线阵热特性分析".光学学报 30.4(2010):1055-06.
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