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大功率无铝量子阱半导体激光阵列特性
秦莉; 刘云; 王立军
2010-02-20
发表期刊中国激光
ISSN0258-7025
卷号37期号:2页码:379-06
摘要针对微通道热沉封装的大功率无铝量子阱半导体激光阵列(LDA)建立三维有限元模型,模拟分析了热沉温度、工作电流以及占空比等工作条件对有源区温度的影响,并通过实验手段研究了不同工作条件下,大功率半导体激光阵列的输出特性的变化情况。结果表明,热沉温度越高、占空比越大时,器件达到稳态所需时间越长,有源区温度越高,中心波长红移越大;阈值电流越大,转换效率、斜率效率越低,输出功率越小。外推了半导体激光阵列在20℃热沉温度,20%高占空比,300A高注入电流条件下工作的输出特性,得到输出功率超过300W,转换效率达45%,且没有出现热饱和现象。
收录类别EI
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/23510
专题中科院长春光机所知识产出
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GB/T 7714
秦莉,刘云,王立军. 大功率无铝量子阱半导体激光阵列特性[J]. 中国激光,2010,37(2):379-06.
APA 秦莉,刘云,&王立军.(2010).大功率无铝量子阱半导体激光阵列特性.中国激光,37(2),379-06.
MLA 秦莉,et al."大功率无铝量子阱半导体激光阵列特性".中国激光 37.2(2010):379-06.
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