Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
| 硅纳米线阵列的光学特性 | |
梁静秋 ; 梁中翥; 崔乃迪; 杨波; 王维彪
| |
| 2010-12-20 | |
| 发表期刊 | 发光学报
 |
| ISSN | 1000-7032 |
| 卷号 | 31期号:6页码:894-898 |
| 摘要 | 在常温常压条件下,采用改进的金属催化化学腐蚀方法在n型单晶硅片(100)上制备了大面积垂直于硅衬底、直径均匀、排列整齐的硅纳米线阵列。分析了样品的表面形貌和反射谱,纳米线直径为10~50nm。在腐蚀时间分别为15,30,60min时,纳米线长度分别为9,17,34μm。样品的减反射性能优异,在300~1000nm波段,得到了2.4%的反射率。初步分析了纳米线阵列的减反射机制和不同腐蚀时间样品的反射率差异。 |
| 收录类别 | EI |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/23494 |
| 专题 | 中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 梁静秋,梁中翥,崔乃迪,等. 硅纳米线阵列的光学特性[J]. 发光学报,2010,31(6):894-898. |
| APA | 梁静秋,梁中翥,崔乃迪,杨波,&王维彪.(2010).硅纳米线阵列的光学特性.发光学报,31(6),894-898. |
| MLA | 梁静秋,et al."硅纳米线阵列的光学特性".发光学报 31.6(2010):894-898. |
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