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RB_SiC基底反射镜表面改性工艺的改进
高劲松; 王笑夷
2009-05-05
发表期刊光学精密工程
ISSN1004-924X
卷号5期号:17页码:969
摘要为了满足空间用大口径、复杂轻量化结构RB-SiC基底反射镜对高性能表面质量的需求,针对RB-SiC基底的特性,提出了改进表面改性工艺的方法。采用高能量考夫曼离子源辅助,预先对基底进行碳化和加镀C缓冲层,并制备Si改性涂层的方法对RB-SiC基底进行了表面改性。测试结果表明:与单纯霍尔离子源辅助方法相比,该工艺方法制备的Si改性涂层生长得更加致密、均匀,抛光特性良好;改性抛光后表面粗糙度(rms)降低到0.635nm,达到了S-SiC基底的水平;改性后RB-SiC基底的反射率明显提高,达到了抛光良好的微晶玻璃的水平。结果表明,该工艺方法是提高RB-SiC基底表面改性效果的一种合理有效的方法。
收录类别EI
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/23373
专题中科院长春光机所知识产出
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GB/T 7714
高劲松,王笑夷. RB_SiC基底反射镜表面改性工艺的改进[J]. 光学精密工程,2009,5(17):969.
APA 高劲松,&王笑夷.(2009).RB_SiC基底反射镜表面改性工艺的改进.光学精密工程,5(17),969.
MLA 高劲松,et al."RB_SiC基底反射镜表面改性工艺的改进".光学精密工程 5.17(2009):969.
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