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808nm大功率半导体激光迭阵偏振耦合技术
刘云
2009-01-04
发表期刊半导体光电
ISSN1001-5868
卷号1期号:30页码:146
摘要随着半导体激光器在工业、军事、核能等领域的应用越来越多,单个迭阵输出的光功率密度已经不能满足实际的需求,这就需要将多个半导体激光迭阵的光束耦合成为一个共同的光束,以提高输出功率和亮度。所以采用怎样的光束耦合技术能实现高亮度、高质量的激光输出就成了一个关键性的问题。对于该技术的研究,国内还没有实验方面的报道。主要介绍了大功率半导体激光器偏振耦合原理、实验的技术路线,以及对808nm半导体激光迭阵进行耦合实验的结果及分析。对2个bar、功率为40W/bar的808nm连续半导体激光迭阵,实现偏振耦合的总效率超过90%,聚焦得直径为3mm光斑,输出功率达到134W,总体效率超过84%。对7个bar、峰值功率100W/ba、r占空比20%的808nm准连续半导体激光迭阵进行了偏振耦合,其效率达到67%,得到4.5mm×4.5mm的光斑。
收录类别EI
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/23321
专题中科院长春光机所知识产出
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GB/T 7714
刘云. 808nm大功率半导体激光迭阵偏振耦合技术[J]. 半导体光电,2009,1(30):146.
APA 刘云.(2009).808nm大功率半导体激光迭阵偏振耦合技术.半导体光电,1(30),146.
MLA 刘云."808nm大功率半导体激光迭阵偏振耦合技术".半导体光电 1.30(2009):146.
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