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InGaAs近红外线列焦面阵的研制进展
缪国庆; 宋航
2009-01-02
发表期刊红外与激光工程
ISSN1000-0519
卷号1期号:38页码:14
摘要研制出光谱响应为0.9~1.7μm的256×1、512×1元InGaAs线列焦平面组件,和光谱响应延展至2.4μm的256×1元InGaAs线列焦平面组件。焦平面组件包括光敏芯片、读出电路、热电制冷器以及管壳封装。光敏芯片在InP/InGaAs/InP(p-i-n)双异质结外延材料上采用台面结构实现,并与128×1或512×1元CTIA结构的读出电路耦合。焦平面器件置于双列直插金属管壳中,采用平行缝焊的方式进行封装。介绍了高均匀性长线列InGaAs焦平面组件的关键技术和主要性能结果,为更长线列焦平面组件的研制提供了坚实的基础。
收录类别EI
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/23301
专题中科院长春光机所知识产出
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GB/T 7714
缪国庆,宋航. InGaAs近红外线列焦面阵的研制进展[J]. 红外与激光工程,2009,1(38):14.
APA 缪国庆,&宋航.(2009).InGaAs近红外线列焦面阵的研制进展.红外与激光工程,1(38),14.
MLA 缪国庆,et al."InGaAs近红外线列焦面阵的研制进展".红外与激光工程 1.38(2009):14.
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