含N_N_二乙基硫脲添加剂的微电铸工艺金属铜填洞机理

	含N_N_二乙基硫脲添加剂的微电铸工艺金属铜填洞机理
	吴一辉
	2008-09-01
发表期刊	光学精密工程
期号	9
摘要	为了研究含N’N-二乙基硫脲添加剂的微电铸工艺金属铜填洞机理,采用线性伏安法、循环电压电流溶出法(CVS)、扫描电镜(SEM)以及XRD测量法研究了N’N-二乙基硫脲对微电铸工艺电化学行为的影响,并借助塔菲尔方程,研究了微电铸铜反应过程中的电极动力学参数。结果表明,当微电铸铜工艺中加入N’N-二乙基硫脲添加剂时,产生活性极化,提高了铜离子还原时所需的活化能,金属离子的放电速度从2.2214mA/cm2降低到约0.076mA/cm2,从而增加了反应时的过电位,促使电极表面晶核成型速度增加,晶体成长速度由2.57μm/min降低到约0.17μm/min,铜离子的平滑能力提高约50%,有效地减小了微电铸时的边沿效应,使金属铜具有良好的填充微型孔洞的能力。本实验通过微电铸工艺成功地将金属铜填充入宽为10μm,深宽比为4∶1的微型凹槽中,且镀层内没有空洞、空隙及细缝等缺陷。
收录类别	EI
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/23239
专题	中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式 GB/T 7714	吴一辉. 含N_N_二乙基硫脲添加剂的微电铸工艺金属铜填洞机理[J]. 光学精密工程,2008(9).
APA	吴一辉.(2008).含N_N_二乙基硫脲添加剂的微电铸工艺金属铜填洞机理.光学精密工程(9).
MLA	吴一辉."含N_N_二乙基硫脲添加剂的微电铸工艺金属铜填洞机理".光学精密工程 .9(2008).

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