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碳化硅陶瓷新型反应连接技术
赵汝成; 赵文兴
2008-06-09
发表期刊光学精密工程
期号6
摘要在碳化硅陶瓷反应连接工艺的基础上研究了一种新型的反应连接工艺,利用该工艺连接了自制的反应烧结碳化硅(RB-SiC)陶瓷。对连接的RB-SiC陶瓷样品表面初步抛光后,测试了焊缝宽度、焊缝处的显微组织结构、连接层的力学性能和高低温实验后连接层对表面面形的影响。测试结果表明:利用新型反应连接工艺连接的RB-SiC陶瓷的焊缝宽度分布在54~77μm之间;焊缝处的显微组织结构非常均匀,接近基体材料;测试了10个样品的室温抗弯强度,平均值为307MPa,而且断裂都产生在母材上,说明焊缝处力学性能优异;高低温实验后,整块碳化硅陶瓷表面面形无变化,说明连接层的热学性能与母材一致,无残余应力。
收录类别EI
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/23204
专题中科院长春光机所知识产出
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GB/T 7714
赵汝成,赵文兴. 碳化硅陶瓷新型反应连接技术[J]. 光学精密工程,2008(6).
APA 赵汝成,&赵文兴.(2008).碳化硅陶瓷新型反应连接技术.光学精密工程(6).
MLA 赵汝成,et al."碳化硅陶瓷新型反应连接技术".光学精密工程 .6(2008).
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