Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
离子源辅助电子枪蒸发制备Ge_1_x_C_x薄膜 | |
高劲松; 王笑夷 | |
2007-04-15 | |
发表期刊 | 光子学报 |
ISSN | 1004-4213 |
卷号 | 6期号:4页码:1 |
摘要 | 应用电子枪蒸发纯Ge,考夫曼离子源辅助的方法在Ge基底上沉积了Ge1-xCx薄膜.制备过程中,Ge作为蒸发材料,CH4作为反应气体.通过改变CH4/(CH4+Ar)的气体流量比(G),制备了G从40%到85%的Ge1-xCx薄膜.应用X射线衍射仪(XRD)测量了Ge1-xCx薄膜的晶体结构,使用傅里叶红外光谱仪(FTIR)测量了2~22μm的光学透过率,X射线光电子能谱测试(XPS)计算得到C的含量随G的变化关系,用纳米压痕硬度测试计测量了Ge1-xCx薄膜的硬度,原子力显微镜(AFM)测量了G为60%,85%时Ge1-xCx薄膜的表面粗糙度.测试结果表明:制备的Ge1-xCx薄膜在不同的G值下均为无定形结构.折射率随着G值的增加而减小,在3.14~3.89之间可变,并具有良好的均匀性以及极高的硬度. |
收录类别 | EI |
文献类型 | 期刊论文 |
条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/23022 |
专题 | 中科院长春光机所知识产出 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 高劲松,王笑夷. 离子源辅助电子枪蒸发制备Ge_1_x_C_x薄膜[J]. 光子学报,2007,6(4):1. |
APA | 高劲松,&王笑夷.(2007).离子源辅助电子枪蒸发制备Ge_1_x_C_x薄膜.光子学报,6(4),1. |
MLA | 高劲松,et al."离子源辅助电子枪蒸发制备Ge_1_x_C_x薄膜".光子学报 6.4(2007):1. |
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离子源辅助电子枪蒸发制备Ge_1_x_C(205KB) | 开放获取 | -- | 浏览 下载 |
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