Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
| 离子源辅助电子枪蒸发制备Ge_1_x_C_x薄膜 | |
高劲松 ; 王笑夷
| |
| 2007-04-15 | |
| 发表期刊 | 光子学报
 |
| ISSN | 1004-4213 |
| 卷号 | 6期号:4页码:1 |
| 摘要 | 应用电子枪蒸发纯Ge,考夫曼离子源辅助的方法在Ge基底上沉积了Ge1-xCx薄膜.制备过程中,Ge作为蒸发材料,CH4作为反应气体.通过改变CH4/(CH4+Ar)的气体流量比(G),制备了G从40%到85%的Ge1-xCx薄膜.应用X射线衍射仪(XRD)测量了Ge1-xCx薄膜的晶体结构,使用傅里叶红外光谱仪(FTIR)测量了2~22μm的光学透过率,X射线光电子能谱测试(XPS)计算得到C的含量随G的变化关系,用纳米压痕硬度测试计测量了Ge1-xCx薄膜的硬度,原子力显微镜(AFM)测量了G为60%,85%时Ge1-xCx薄膜的表面粗糙度.测试结果表明:制备的Ge1-xCx薄膜在不同的G值下均为无定形结构.折射率随着G值的增加而减小,在3.14~3.89之间可变,并具有良好的均匀性以及极高的硬度. |
| 收录类别 | EI |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/23022 |
| 专题 | 中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高劲松,王笑夷. 离子源辅助电子枪蒸发制备Ge_1_x_C_x薄膜[J]. 光子学报,2007,6(4):1. |
| APA | 高劲松,&王笑夷.(2007).离子源辅助电子枪蒸发制备Ge_1_x_C_x薄膜.光子学报,6(4),1. |
| MLA | 高劲松,et al."离子源辅助电子枪蒸发制备Ge_1_x_C_x薄膜".光子学报 6.4(2007):1. |
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