Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
| 单晶6H_SiC纳米线的可控掺杂及光学特性 | |
范翊
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| 2009-12-03 | |
| 发表期刊 | 液晶与显示
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| ISSN | 1007-2780 |
| 卷号 | 6期号:24页码:804 |
| 摘要 | 采用有机前驱体制备纳米材料工艺,制备出不同Al掺杂浓度的6H-SiC纳米线(Al/6H-SiC)。用HRTEM、EDX、XRD等对纳米线进行了表征,发现随着起始材料中异丙醇铝含量的增加,所制备的纳米线中的Al浓度也在增加,最高可达到1.25%,HRTEM显示晶格间距为0.26nm和0.25nm,对应为6H-SiC的(101)和(102)面间距,Si、C原子比为1:1。拉曼光谱得到这种6H-SiC的声子能量为100meV,由吸收光谱带边吸收外推计算得到Al/6H-SiC纳米线光学带隙,掺杂浓度越大,吸收边红移越大。 |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/22884 |
| 专题 | 中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 范翊. 单晶6H_SiC纳米线的可控掺杂及光学特性[J]. 液晶与显示,2009,6(24):804. |
| APA | 范翊.(2009).单晶6H_SiC纳米线的可控掺杂及光学特性.液晶与显示,6(24),804. |
| MLA | 范翊."单晶6H_SiC纳米线的可控掺杂及光学特性".液晶与显示 6.24(2009):804. |
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| 单晶6H_SiC纳米线的可控掺杂及光学特（305KB） | 开放获取 | -- | 浏览 下载 | |||
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