Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
| 通过提高生长温度改善碳化锗薄膜的性能 | |
胡超权; 王笑夷 ; 陈红; 朱嘉琦; 韩杰才; 郑伟涛
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| 2010-08-15 | |
| 发表期刊 | 液晶与显示
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| ISSN | 1007-2780 |
| 期号 | 4 |
| 摘要 | 利用磁控溅射制备碳化锗(Ge1-xCx)薄膜,系统地研究了生长温度(Tg)对所获薄膜成分及性能的影响并揭示了它们之间的内在关系。研究发现所有Ge1-xCx薄膜样品均为非晶结构,随着Tg从60℃增加到500℃,膜中锗含量增加,而碳含量相对降低,这种成分的改变增加了膜中组成原子的平均质量,进而导致薄膜折射率从2.3增加到4.3,这种折射率大范围连续可调的特性十分有利于Ge1-xCx多层红外增透保护膜的设计和制备。此外研究还发现,随着Tg的增加,Ge1-xCx膜中Ge—H和C—H键逐渐减少,这不但显著减小了薄膜在～5.3μm和～3.4μm处的光吸收,而且显著提高了薄膜的硬度。这些结果表明,提高生长温度是调制Ge1-xCx薄膜成分、改善其光学和力学性能的有效途径。 |
| 关键词 | 生长温度 碳化锗 性能 |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/22740 |
| 专题 | 中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 胡超权,王笑夷,陈红,等. 通过提高生长温度改善碳化锗薄膜的性能[J]. 液晶与显示,2010(4). |
| APA | 胡超权,王笑夷,陈红,朱嘉琦,韩杰才,&郑伟涛.(2010).通过提高生长温度改善碳化锗薄膜的性能.液晶与显示(4). |
| MLA | 胡超权,et al."通过提高生长温度改善碳化锗薄膜的性能".液晶与显示 .4(2010). |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 通过提高生长温度改善碳化锗薄膜的性能.c（331KB） | 开放获取 | -- | 浏览 下载 | |||
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