Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
| 980nm底发射VCSEL的DBR设计与优化 | |
宁永强 ; 秦莉
| |
| 2009-08-05 | |
| 发表期刊 | 中国科学F:信息科学
 |
| ISSN | 1674-5973 |
| 卷号 | 8期号:39页码:918 |
| 摘要 | 根据DBR的工作原理,以P型DBR为例,通过研究DBR的能带结构详细分析了不同的渐变区宽度和不同的掺杂浓度下的DBR的电学特性和反射特性.选用Al_(0.9)Ga_(0.1)As和Al_(0.1)Ga_(0.9)As作为DBR的材料,设计了980nmVCSELs的P型DBR,通过比较确定了Al组分渐变区的宽度和整个DBR结构的掺杂浓度.依此结构制作了980nm底发射VCSELs,器件的Ⅰ-Ⅴ特性曲线显示器件的串联电阻约为0.05Ω. |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/22212 |
| 专题 | 中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宁永强,秦莉. 980nm底发射VCSEL的DBR设计与优化[J]. 中国科学F:信息科学,2009,8(39):918. |
| APA | 宁永强,&秦莉.(2009).980nm底发射VCSEL的DBR设计与优化.中国科学F:信息科学,8(39),918. |
| MLA | 宁永强,et al."980nm底发射VCSEL的DBR设计与优化".中国科学F:信息科学 8.39(2009):918. |
| 条目包含的文件 | 下载所有文件 | |||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 980nm底发射VCSEL的DBR设计与（4378KB） | 开放获取 | -- | 浏览 下载 | |||
| 个性服务 |
| 推荐该条目 |
| 保存到收藏夹 |
| 查看访问统计 |
| 导出为Endnote文件 |
| 谷歌学术 |
| 谷歌学术中相似的文章 |
| [宁永强]的文章 |
| [秦莉]的文章 |
| 百度学术 |
| 百度学术中相似的文章 |
| [宁永强]的文章 |
| [秦莉]的文章 |
| 必应学术 |
| 必应学术中相似的文章 |
| [宁永强]的文章 |
| [秦莉]的文章 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论