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高光束质量新型垂直腔面发射激光器阵列
崔锦江; 宁永强; 张岩; 孔鹏; 刘光裕; 张星; 王贞福; 史晶晶; 李特; 秦莉; 刘云; 王立军
2009-08-10
发表期刊中国激光
ISSN0258-7025
期号8
摘要报道了一种具有新型排列方式的垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)阵列。通过调制阵列中各单元直径以及单元间距,得到1kW/cm~2的高功率密度和高斯远场分布,且在工作电流0~6A内远场发散角均小于20°。阵列由直径分别为200μm,150μm和100μm成中心对称分布的5个单元组成,单元圆心间距分别为250μm和200μm。在室温连续工作条件下,阵列在注人电流4A时达最大输出功率880mW,斜率效率为0.3W/A,具有0.56A的低阈值电流,微分电阻0.09Ω。与具有相同出光面积的4×4二维阵列相比,这种新型阵列在出光功率、阈值电流、光谱特性及远场分布等方面均具有优越性。模拟了阵列各单元叠加后的近场远场光强分布,结果表明得到的新型阵列的远场分布与实验结果吻合较好。
关键词激光器 垂直腔面发射激光器 阵列 远场分布
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/22170
专题中科院长春光机所知识产出
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GB/T 7714
崔锦江,宁永强,张岩,等. 高光束质量新型垂直腔面发射激光器阵列[J]. 中国激光,2009(8).
APA 崔锦江.,宁永强.,张岩.,孔鹏.,刘光裕.,...&王立军.(2009).高光束质量新型垂直腔面发射激光器阵列.中国激光(8).
MLA 崔锦江,et al."高光束质量新型垂直腔面发射激光器阵列".中国激光 .8(2009).
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