CdSe_ZnSe_ZnS多壳层结构量子点的制备与表征

	CdSe_ZnSe_ZnS多壳层结构量子点的制备与表征
	曾庆辉; 孔祥贵
	2009-12-04
发表期刊	发光学报
ISSN	1000-7023
卷号	6 期号:30 页码:842
摘要	展示了一种简捷的多壳层量子点合成路线。在含有过量Se源的CdSe体系中直接注入Zn源,"一步法"合成了CdSe/ZnSe量子点;进一步以CdSe/ZnSe为"核",表面外延生长ZnS壳层制备了核/壳/壳结构CdSe/ZnSe/ZnS量子点。相对于以往报道的多壳层结构量子点的制备方法,该方法通过减少壳层的生长步骤有效地简化了实验操作,缩短了实验周期,同时减少对原料的损耗。对量子点进行高温退火处理,能够大幅提高CdSe/ZnSe/ZnS量子点的发光量子产率。透射电镜、XRD以及光谱研究表明:所制备的量子点接近球形,核与壳层纳米晶均为闪锌矿结构,最终获得的CdSe/ZnSe/ZnS量子点的光致发光量子产率达到53%。为了实现量子点的表面生物功能化,通过巯基酸进行了表面配体交换修饰,使量子点表面具有水溶性的羧基功能团,并且能够维持较高的光致发光量子产率。
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/21916
专题	中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式 GB/T 7714	曾庆辉,孔祥贵. CdSe_ZnSe_ZnS多壳层结构量子点的制备与表征[J]. 发光学报,2009,6(30):842.
APA	曾庆辉,&孔祥贵.(2009).CdSe_ZnSe_ZnS多壳层结构量子点的制备与表征.发光学报,6(30),842.
MLA	曾庆辉,et al."CdSe_ZnSe_ZnS多壳层结构量子点的制备与表征".发光学报 6.30(2009):842.

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