980nmOPS_VECSEL关键参数的理论分析

	980nmOPS_VECSEL关键参数的理论分析
	秦莉
	2008-08-08
发表期刊	发光学报
期号	4
摘要	光抽运半导体垂直外腔面发射激光器(OpticallyPumpedSemiconductorVerticalExternalCavitySurfaceEmissionLaser)的输出特性受到诸多参数的影响,理论分析和模拟显得尤为重要。设计了一种以808nm二极管激光耦合模块为光抽运光源,In0.159Ga0.841As/GaAs0.94P0.06为增益介质的980nm光抽运垂直外腔面发射激光器,并借助于PICS3D软件计算了器件各种特性参数。分析了芯片半径、量子阱的周期数以及外腔镜反射率对器件性能的影响,特别是对阈值和光-光转换效率的影响。模拟结果表明,器件的半径影响光-光转换效率。量子阱个数和外腔镜反射率对器件的输出功率和光-光转换效率都有影响,所以要根据实际需要,设计、生长结构和进行实验。
文献类型	期刊论文
条目标识符	http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/21754
专题	中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式 GB/T 7714	秦莉. 980nmOPS_VECSEL关键参数的理论分析[J]. 发光学报,2008(4).
APA	秦莉.(2008).980nmOPS_VECSEL关键参数的理论分析.发光学报(4).
MLA	秦莉."980nmOPS_VECSEL关键参数的理论分析".发光学报 .4(2008).