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霍尔离子源辅助制备碳化硅改性薄膜
高劲松; 王彤彤; 宋琦; 王笑夷; 陈红; 郑宣鸣; 范镝
2008-08-25
Source Publication红外与激光工程
ISSN1007-2276
Issue4
Abstract为进一步提高碳化硅反射镜基底表面光学质量,满足高质量空间光学系统的应用需求,采用电子枪蒸发纯硅,霍尔离子源喷出的氩离子电离甲烷,并辅以离子辅助沉积的方法在反应烧结碳化硅基底上镀制了表面改性用碳化硅薄膜,并对改性膜层进行了光学抛光处理。XRD测试表明:该工艺条件下制备的碳化硅薄膜为α相。通过高分辨率光学显微镜对抛光后的反应烧结碳化硅基底进行缺陷观察,发现改性抛光后基底表面缺陷和孔洞明显减少。原子力显微镜粗糙度测试的结果表明:改性抛光后基底表面粗糙度降低到了0.867nm(rms)。通过分光光度计测量,证明了改性后抛光的反应烧结碳化硅基底表面的散射还不到未改性而直接抛光的反应烧结碳化硅基底的1/8。在经过液氮和沸水循环5次的温度冲击实验后,薄膜无龟裂和脱落,说明该改性用碳化硅薄膜与基底结合牢固。测试结果表明:该应用霍尔离子源辅助制备碳化硅改性薄膜的方法能够大幅提高碳化硅基底表面光学质量,是进行碳化硅基底表面改性的一种有效的新方法。
Keyword碳化硅 表面改性 霍尔离子源 离子辅助
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/21745
Collection中科院长春光机所知识产出
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GB/T 7714
高劲松,王彤彤,宋琦,等. 霍尔离子源辅助制备碳化硅改性薄膜[J]. 红外与激光工程,2008(4).
APA 高劲松.,王彤彤.,宋琦.,王笑夷.,陈红.,...&范镝.(2008).霍尔离子源辅助制备碳化硅改性薄膜.红外与激光工程(4).
MLA 高劲松,et al."霍尔离子源辅助制备碳化硅改性薄膜".红外与激光工程 .4(2008).
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