Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
生长温度和化学剂量比对MgZnO合金薄膜相结构的影响 | |
吴春霞; 申德振; 范希武 | |
2008-12-15 | |
发表期刊 | 液晶与显示 |
ISSN | 1007-2780 |
期号 | 6 |
摘要 | 利用等离子辅助分子束外延技术,在蓝宝石c-平面上外延生长了ZnO单晶薄膜。原位反射式高能电子衍射结果表明,在650℃时样品为平整的表面。但X射线衍射测量表明,在此温度下添加Mg源生长的MgxZn1-xO合金薄膜,随Mg量的增加很快经历了六角相-混合相-立方相的相结构转变,这与扫描电子显微照片的直观结果相对应。分析指出该结果是由生长温度和Ⅱ、Ⅵ族元素的化学剂量比共同决定的。 |
关键词 | 等离子辅助分子束外延 Mgzno合金 原位反射式高能电子衍射 X射线光电子能谱 |
文献类型 | 期刊论文 |
条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/21462 |
专题 | 中科院长春光机所知识产出 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴春霞,申德振,范希武. 生长温度和化学剂量比对MgZnO合金薄膜相结构的影响[J]. 液晶与显示,2008(6). |
APA | 吴春霞,申德振,&范希武.(2008).生长温度和化学剂量比对MgZnO合金薄膜相结构的影响.液晶与显示(6). |
MLA | 吴春霞,et al."生长温度和化学剂量比对MgZnO合金薄膜相结构的影响".液晶与显示 .6(2008). |
条目包含的文件 | 下载所有文件 | |||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
生长温度和化学剂量比对MgZnO合金薄膜(429KB) | 开放获取 | -- | 浏览 下载 |
个性服务 |
推荐该条目 |
保存到收藏夹 |
查看访问统计 |
导出为Endnote文件 |
谷歌学术 |
谷歌学术中相似的文章 |
[吴春霞]的文章 |
[申德振]的文章 |
[范希武]的文章 |
百度学术 |
百度学术中相似的文章 |
[吴春霞]的文章 |
[申德振]的文章 |
[范希武]的文章 |
必应学术 |
必应学术中相似的文章 |
[吴春霞]的文章 |
[申德振]的文章 |
[范希武]的文章 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论